储存行业两次区域转移/三个历史阶段：各领风骚数十年

来源：中为咨询www.zwzyzx.com 【日期：2016-07-04 15:24:51】【打印】【关闭】

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回顾存储器行业发展历史对当下存储器行业分析能起到一定的启示作用。纵观存储器行业半个世纪以来的发展历程，可以分为三个阶段和两次大的区域转移。各领风骚数十年，未来谁主沉浮？

纵观存储器行业半个世纪以来的发展历程，大致对应三个阶段：70年代起步阶段的美国，80-90年代成长阶段的日韩台，本世纪成熟阶段寡头垄断。其中经历了两次大的区域转移。美国发明存储器并独领风骚了10年左右。80年代，日本半导体产业紧随汽车工业崛起，并一举超越美国，存储器龙头由美国转移到日本，后者独霸存储器市场约十年。90年代，韩国三星电子崛起，存储器霸主从日本转移到韩国，后者已经独霸存储器市场正好20年（从1995年率先推出256MDRAM至今）。此外，存储器市场还经历了日本衰落，台湾出师未捷，欧洲昙花一现，如今已经高度垄断，寡头瓜分了9成以上市场。NAND产业由三星、美光、东芝/闪迪、海力士四家垄断，DRAM产业目前仅剩韩国的三星、海力士和美国的美光三分天下。

1、170年代起步期：美国，研发为主

1966年IBM发明第一块DRAM芯片。1970年Intel公司推出了第一款1K的商用DRAM芯片Intel1103。早期的DRAM容量小，只有64～256KB，直接固定在主板上。同一时期，美国大约有十来家DRAM公司。如MostekMK4096型4千比特DRAM曾盛极一时，一度达到3/4的市场份额。Intel当时率先使用三英寸晶圆取代二英寸晶圆生成DRAM，使得从一开始就保持领先。这一时期，技术研发R&D是发展的关键。每一个公司的兴衰，都是伴随着其技术的更新或淘汰。美国良好的科研环境和强大的科研基础是其统治整个DRAM市场的关键。当时，全球大约有40到50家DRAM公司。

2、80-90年代成长期：日韩台，政府支持+人才、技术引进+本土创新

历史上存储产业区域转移过程

DRAM产品进入成熟期后，亚洲国家如日本、韩国先后通过政府推动、技术引进、降低成本的方式先后实现了赶超。1963年，NEC从美国Fairchild获得工艺技术授权，政府要求NEC与国内其他厂商分享技术。从此，NEC、三菱、京都电气等这些日本大企业开始进入半导体产业。日本重金购买大批集成电路专利，同时非常注意品质提升和自身创新。如日本率先采用CMOS工艺开发出了1MDRAM。1980年代初，日本DRAM产品可靠性已经比美国高。拼成本不是美国公司的专长，80年代日本取代美国成为DRAM主要供应国。在很长一段时间，全球半导体企业排名前三位都是由NEC、东芝和日立包揽，并一度拥有DRAM行业90%的市场份额。而此时美国的Intel由于DRAM严重亏损退出了该市场，转向了技术要求更高的微处理器。

韩国半导体起步比日本晚，也是从产业链末端开始，其模式跟日本模式类似，即政府推动、技术及人才引进、降低成本。国家政策方面，韩国国家给予了DRAM大力扶持。如在韩国国有银行支持下，韩国公司以低廉的资金成本，采用最新的技术大量建厂，通过规模化降低成本挤压对手。这一手段在DRAM风暴（DRAM市场周期性的兴衰）过程中对小企业摧残尤为严重。同时，三星可以依仗雄厚的资金支持，进行“反周期投资”，即在产业不景气同行缩减投资降低损失时，三星加大投资加大损失，从而在自己弱小时缩小与对手的差距，或者在自己强大时进一步拉开与对手的差距。技术引进方面，三星初期的DRAM技术来自于美光授权。同时，韩国大量吸引海外技术人员回国，同时从其它国家（如日本）大量吸引科技工作者。三星人才战略可谓真刀真枪。三星从日企挖人的条件一度是，薪水直接翻倍，同时解决住房问题和工程师一家人在韩国的工作学习生活，由此甚至引发诉讼。三星电子高薪聘请在美国半导体公司工作过的韩国人的工资比总裁还要高4～5倍。正是这种真正重视人才、重视技术研发的战略，奠定了三星电子雄伟大厦的基石。90年代，恰逢日本“失去的十年”，日元升值，经济低迷，韩国的DRAM乘机兴起并取代日本。1983年2月，三星创始人李秉哲表示要将三星打造成全球内存芯片的大企业。同年韩国推出64KDRAM，与国际领先水平差4年，1986年推出1MDRAM时，差距已缩小至1年，1992年与美日企业同年推出64MDRAM，1995年已经赶超美日企业推出256MDRAM，从此占据了DRAM最大市场份额。在90年代，韩国DRAM市场份额一度达到65%，并将这一比例维持至今。

台湾DRAM略晚于韩国，模式跟日韩类似，但却没能走上日韩的成功之路。早期台湾也是通过合作取得授权，如1989年PC厂商宏碁与德州仪器合资成立台湾第一家DRAM厂德碁。众多海外华人回到台湾投入DRAM产业，在与工研院电子所合作下，台湾拥有了自主DRAM技术。1994年台积电牵头率同十几家公司成立世界先进，发展台湾自主的DRAM技术。台湾人大约在六年内投入了200亿美元。然而台湾DRAM不仅没有像日韩一样实现反超，技术自主之路也遭失败。

总体而言，DRAM成长期全球DRAM产业百花齐放。1999年以前，共计有14家DRAM厂，包括韩系的三星、现代，美系的美光(Micron)、IBM，日系的NEC、日立、三菱、东芝，欧系的西门子，台系的力晶、茂德、南亚科、华邦、世界先进等。

3、本世纪成熟期：市场兼并重组，寡头垄断

进入新世纪后，DRAM进入成熟期。和很多其他产业一样，DRAM通过兼并重组，产业进入寡头垄断阶段。

首先是台湾退出存储器主流舞台。2000年世界先进退出自主研发DRAM业务标志着台湾自主之路的夭折，紧接着代工模式又在2008年金融危机中遭受重创。台湾DRAM产业过去以中小企业为主体，如力晶、茂德、茂矽、华邦等。唯一的大集团是台塑集团扶持的南亚科和华亚科，华亚科当初是与德系记忆体大厂奇梦达(Qimonda)合资成立，之后由美光接手。1998年DRAM供过于求，同业大幅亏损。台湾DRAM逐渐转为代工，2000年以后世界先进也退出自主研发DRAM业务。台湾完全采用其它公司技术，如茂德技术来自于海力士，力晶来自于尔必达，南科、华亚科技术来自于美光。代工在台湾非常发达，在年份好的时候也收益不错。但在2009年的DRAM风暴中，台湾DRAM产业消失殆尽。结果南科、华邦转型为利基型DRAM，力晶为晶圆代工厂，茂德转型为IC设计公司。

台湾DRAM产业的失败原因很多。比如切入时机太晚，市场技术已经较为成熟，进入了拼成本阶段。尤其在本世纪头十年，已经进入了寡头垄断阶段，对手都是世界巨头，后来者生存空间不大；没有自己的优势，也没有碰到很好的契机。日本DRAM通过与美国拼成本后来居上（日系汽车也是），韩国碰到了日本经济萧条而后来居上；没有自主技术，危急时刻受制于人，也无法进行资源整合。09年DRAM风暴中，台湾DRAM因分属不同阵营各自为阵，导致政府整合计划失败；受97年亚洲金融危机影响，台湾经济不景气，关键时刻没能坚持自主创新之路，后面再也没有机会了；危机时刻缺乏足够的金融后盾。97年三星在亚洲金融危机中负债率366%，到99年仍然有166%负债率，但依旧有国内金融资本持续支持，最终熬过了金融寒冬，避免破产命运。从此之后一路高歌猛进，成为DRAM和NANDFlash霸主至今。

历史上DRAM厂商数量以及当时最大的DRAM厂商

除了台湾，日本欧洲也在本世纪头十年相继退出DRAM业务。1999年，日立、NEC、三菱的DRAM业务合并成立尔必达力图避免亏损。2001~2002年之间，IBM、东芝退出市场，韩国现代独立半导体事业部门成立海力士。到了2003~2004年，全球DRAM产业只剩下5大阵营，包括三星和海力士；茂德和尔必达；力晶和奇梦达；南亚科、华亚科和华邦；最后则是美光；2008年金融风暴后，DRAM价格从2006年Q4的6美元一颗跌到2009年Q1的0.6美元一颗，全球DRAM行业出现巨亏。直接导致欧洲的奇梦达于2009倒闭，日本尔必达于2012年被美光收购，台湾DRAM公司转型。自此，全球DRAM市场由三家寡头垄断，占据市场90%以上份额。其中三星电子、SK海力士、美光分别占据市场份额的40%、29%和24%。

历史上主要存储器厂商的更迭