2D到3D:从平房到楼房

您当前位置：首页 > 行业分析 > IT通讯 > 　正文

来源：中为咨询www.zwzyzx.com 【日期：2016-09-21 14:22:21】【打印】【关闭】

相关报告

2014版电脑设备行业企业建设项目可行性研究报告(2013-12-11)
2015-2020年中国工业电脑行业市场调查研究及投资发展分析报告(2015-06-11)
2015-2020年中国车载电脑行业深度调研及市场投资发展研究报告(2015-07-15)
2016-2022年中国电脑IC行业市场深度调查研究及投资咨询报告(2015-12-10)
2015-2019版电脑包行业企业建设项目可行性研究报告(2014-11-18)
2015-2019年中国电脑包业兼并重组及投资建议研究分析报告(2014-11-19)
2015-2020年中国笔记本电脑行业市场深度剖析及投资发展研究报告(2015-07-30)
2015-2020年中国电脑连接器行业运行研究及市场投资发展分析报告(2015-06-15)
2015-2020年中国工业电脑行业市场深度剖析及投资发展研究报告(2015-07-30)
2016-2022年中国工业电脑行业市场深度调查研究及投资咨询报告(2015-12-09)

存储器是半导体三大支柱产业之一。据ICInsights数据，2015年半导体存储器市场总额达835亿美元。各类存储器中，NANDFlash是一个亮点。其广泛应用于PC、手机、服务器等各类电子产品，2015年营收达到267亿美元,占半导体存储器市场总额的32%。

NANDFLASH营收占半导体存储器市场总额超过30%

目前的闪存多属于PlanarNAND平面闪存，也叫有2DNAND或者直接不提2D，而3D闪存，顾名思义，就是它是立体堆叠的，Intel之前用盖楼为例介绍了3DNAND，普通NAND是平房，那么3DNAND就是高楼大厦，建筑面积一下子就多起来了，理论上可以无线堆叠。

3DNAND技术与现有的2DNAND（纳米制程技术）截然不同，2DNAND是平面结构而3DNAND是立体结构，3D结构是以垂直半导体通道的方式排列，多层环绕式栅极(GAA)结构形成多电栅级存储器单元晶体管，可以有效的降低堆栈间的干扰。3DNAND闪存也不再是简单的平面内存堆栈，这只是其中的一种，还有VC垂直通道、VG垂直栅极等两种结构。

从2DNAND到3DNAND就像平房到高楼