半导体光刻胶专用化学品市场状况及发展趋势
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半导体光刻胶种类非常繁多,分类方法也较多。目前市场上已得到实际应用的主要半导体光刻胶,从曝光波长来分,可分为g线(436nm)、i线(365nm)、KrF(248nm)和ArF(193nm)等4个种类。实际上,这种分类也正反映了半导体光刻胶材料技术应对市场对半导体产品小型化、功能多样化的要求,通过提高极限分辨率从而达到高密度集积的发展过程。曝光波长是影响光刻胶极限分辨率的一个重要因子,随着曝光波长的缩短,光刻胶所能达到的极限分辨率将得以提高,从而使得更高密度集积成为可能。目前分辨率最高的半导体光刻胶为ArF光刻胶,它可以用来加工线宽至90纳米的微细线路。半导体光刻胶和PCB光刻胶以及LCD光刻胶的构成基本类似,主要是由光刻胶树脂和光引发剂组成。虽然在组成上,上述3种光刻胶基本类似,但在性能和价格方面,半导体光刻胶要远远高于其他两类。半导体光刻胶使用的树脂和引发剂在性能、质量和规格等方面的要求极其严格。
半导体光刻胶光引发剂包括可以用在i线感光性聚酰亚胺光刻胶里的多种类型的光致产酸剂、高感度肟酯类光引发剂以及光增感剂,可以用在KrF光刻胶及ArF光刻胶里的锍鎓盐系列光致产酸剂以及碘鎓盐系列光致产酸剂等产品。由于半导体光刻胶配方比较稳定,其专用化学品的市场规模与半导体光刻胶的市场规模基本保持同比例变动。
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