我国半导体分立器件行业的发展现状

您当前位置：首页 > 中为资讯 > IT通讯 > 　正文

来源：中为咨询网www.zwzyzx.com 【日期：2014-12-31 12:06:01】【打印】【关闭】

相关报告

凭借良好的政策环境、低廉的生产要素成本以及充分的资源供给等优势，“十一五”期间，全球半导体分立器件的制造环节以较快速度向我国转移。目前，我国已经成为全球最重要的半导体分立器件制造基地。

从技术发展水平看，目前国内半导体分立器件行业技术水平仍与国际领先水平存在较大的差距。2009年《电子信息产业调整和振兴规划》明确提出，需提高新型电力电子器件的研发能力，形成完整配套、相互支撑的产业体系。随着半导体分立器件国产化趋势的显现以及下游应用领域需求增长的拉升，我国半导体分立器件行业蕴含着巨大的发展契机。

2010年以来，受益于经济刺激政策的实施以及新能源、新材料及物联网的应用，我国电子整机制造产业出现快速回升，计算机、消费电子、通信等整机产量增长及产品结构持续升级，大大拉动了对上游分立器件产品需求的增长。

根据中国半导体行业协会数据统计，2008 年-2011 年，我国半导体分立器件产业销售额分别为937.80 亿元、883.60 亿元、1,135.40 亿元和1,388.60 元，增长率分别为12.30%、-5.80%、28.50%和22.3%，同样呈现稳中有升的市场格局。2012 年半导体分立器件产业在电子整机需求不旺的影响下，产业没能延续之前两年的快速增长态势。2012 年中国分立器件产业销售额为1,390.00 亿元，同比虽略有增长，但增幅同比下降较大，主要是由于海外市场，特别是欧洲、日本区域市场订单有所减少，消费电子、汽车电子、网络通信市场普遍需求不旺，直接影响了对上游分立器件产品需求的增长。2008-2012 年我国半导体分立器件产业销售额增长状况如下图：

自2011 年起，随着新能源、节能环保、新材料及物联网等一系列“十二五”规划的陆续出台，在推动经济结构转型、发展低碳经济等新兴发展理念的推动下，应用于绿色能源、能源智能管理、电动汽车等新兴领域的半导体分立器件成为市场的新热点。在传统应用领域，一方面与节能密切相关的智能电表等领域需求持续快速增长，另一方面，传统消费电子产品向更为节能的功率电子领域发展，如变频控制等。半导体分立器件新兴应用领域的持续快速发展，成为支撑分立器件市场保持较好发展势头的重要源泉。

从行业细分领域分析，2012 年功率器件和LED（发光二极管）是引领我国半导体分立器件产业增长的主要推动力量，其销售额增长率明显高于其他产品。功率器件和LED 具有绿色、环保、节能等多方面的优势，并且也符合国家节能减排的大政方针，因此近几年市场总体趋势持续向好。在功率器件领域，新能源（如风能、太阳能等）、电动汽车、变频家电以及逆变焊机等应用对新型功率器件的需求较为旺盛。半导体制造商的扩产速度远落后于市场增长速度，新型功率器件供需之间的矛盾在短期内仍难以达到平衡。因此，功率半导体器件设计、制造能力的提高，将为国内半导体分立器件产业提供新的发展机遇。在LED 领域，随着产业环境的逐步成熟、企业技术实力的快速提升，LED 上游外延、芯片环节近年来也呈现快速发展的势头，其年平均增长率要高于LED 封装环节。在国家节能减排战略的带动下，LED 应用市场逐步扩大，市场渗透率不断提高。2011年，LED 背光源在笔记本电脑的市场渗透率已经接近100%，在电视产品中的市场渗透率达到90%，在LED 监视器中的市场渗透率已经超过60%。LED 逐步替代CCFL（冷阴极荧光灯管），成为中大尺寸液晶面板背光源主流。

在国家产业政策支持和国民经济发展的推动下，我国高频场控类电力电子器件的研发和产业化取得了喜人的成绩，产品种类日益齐全，规模效应逐渐显现。目前，从芯片设计到芯片封装、测试的完整产业链正在形成。100V、200V，小于30A 的MOSFET 和600V、1,200V，100A 的FRD（快恢复二极管）已进入批量生产阶段。600V、1,200V，100A 的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片在多家企业进入量产阶段，1,700V，100A 的IGBT 芯片已研发成功，进入中试阶段。IGBT 模块的封装技术也上了一个台阶，国产品牌正在形成之中，已与国际品牌展开竞争态势。采用IGBT 模块所制造的装置，如动车组的变频器、风力发电的变流器、光伏发电的逆变器、高压风机水泵的变频器、UPS、高频电焊机等都已批量生产，得到广泛应用，有的已替代进口产品。

本文地址：http://www.zwzyzx.com/show-269-103031-1.html

分享到：

上一篇：我国半导体分立器件行业保持了较快的发展态势

下一篇：我国半导体分立器件行业市场增长的主要因素

相关资讯