溅射靶材基本情况简介
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随着技术的进步,尤其是电子器件朝着小型化、集成化、低功耗的趋势发展,电子薄膜材料越来越受到重视,电子薄膜材料的制备工艺也取得了很大的进展,已经应用于电子器件的大规模生产中。目前,电子薄膜材料的制备工艺主要包括物理气相沉积技术(PVD)、化学气相沉积技术(CVD)等。
溅射属于物理气相沉积技术的一种,是制备电子薄膜材料的主要技术之一,它利用离子源产生的离子,在高真空中经过加速聚集,而形成高速度能的离子束流,轰击固体表面,离子和固体表面原子发生动能交换,使固体表面的原子离开固体并沉积在基底表面,被轰击的固体是用溅射法沉积薄膜的原材料,称为溅射靶材。溅射靶材工作原理基本情况如下:

一般来说,溅射靶材主要由靶坯、背板等部分构成,其中,靶坯是高速离子束流轰击的目标材料,属于溅射靶材的核心部分,在溅射镀膜过程中,靶坯被离子撞击后,其表面原子被溅射飞散出来并沉积于基板上制成电子薄膜;由于高纯度金属普遍较软,而溅射靶材需要安装在专用的机台内完成溅射过程,机台内部为高电压、高真空环境,因此,背板主要起到固定溅射靶材的作用,且需要具备良好的导电、导热性能。
溅射靶材的种类较多,即使相同材质的溅射靶材也有不同的规格。按照不同的分类方法,能够将溅射靶材分为不同的类别,主要分类情况如下:

溅射靶材的应用领域广泛,由于应用领域的不同,溅射靶材对金属材料的选择和性能要求存在一定的差异,具体情况如下:

在溅射靶材应用领域中,半导体芯片对溅射靶材的金属材料纯度、内部微观结构等方面都设定了极其苛刻的标准,需要掌握生产过程中的关键技术并经过长期实践才能制成符合工艺要求的产品,因此,半导体芯片对溅射靶材的要求是最高的,价格也最为昂贵;相较于半导体芯片,平面显示器、太阳能电池对于溅射靶材的纯度和技术要求略低一筹,但随着靶材尺寸的增大,对溅射靶材的焊接结合率、平整度等指标提出了更高的要求。此外,溅射靶材需要安装在溅射机台内完成溅射过程,溅射机台专用性强,对溅射靶材的形状、尺寸和精度也设定了诸多限制。
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