半导体行业遇新技术拐点，切入可缩小差距

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来源：中为咨询www.zwzyzx.com 【日期：2016-07-04 15:44:36】【打印】【关闭】

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纵观存储企业发展史，新技术在不断产生。直接采用新技术新标准，缩短跟国外的差距，或许是一些企业可以尝试的方向。

四大NandFlash厂2D/3D技术路线

以3DNAND技术为例，当前NAND已经量产到了20nm，工艺进程排到了1Z。国内企业几乎是空白，落后国外几十年。但是在向3D技术转移的时候，将会采用较为成熟的30nm工艺外加3D技术。这样差距就缩小到10年以内。中国企业如果直接引进3D技术，将在产业链找到机会。

新技术的颠覆：crossba推出的RRAM存储器

另一个新的方向是新材料技术，例如相变存储器、记忆电阻、铁电存储器、磁存储器等。以RRAM为例，RRAM产品并没有PCRAM丰富，但发展较快，被三星、闪迪等看好。RRAM技术最强的是2010年成立的Crossbar，其RRAM芯片已经可以量产，预计首个样品在2015年初出炉，2015年底投入市场。初期主要面向嵌入式市场，授权给ASIC、FPGA、SoC开发商，采用3层芯片堆叠，市场化时预计采用16层芯片堆叠，容量达128GB，已经可以量产。同时，crossba宣称该技术可以尺寸缩减到5nm。另一个采用新技术实现反超的例子是成立于2003年的invensense，公司的MEMS产品经过10年发展已经成功挤入苹果供应链，iPhone6采用了invensense的一颗六轴加速计与陀螺仪。

表2主要的新兴存储技术比较

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