OLED顶发射结构开口率好于底发射结构
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按照光线射出方式不同，OLED组件可划分为：底发射式结构（BE-OLED）、顶发射式结构（TE-OLED）。
底发射结构中发出的光只能部分地从驱动面板（TFT）上设臵的开口处射出，大部分发光都被浪费，开口率较低。顶发射器件中，光从器件的顶部出射则不受TFT的影响，开口率有效提高。
顶发射OLED对比普通底发射器件具有：提高器件发光的色彩纯度、调节器件发光颜色、实现特殊波长发射，有利于制作大尺寸、高亮、高分辨率显示器。另外其对于大面积固态照明，底发射使用的ITO透明电极昂贵，而顶发射式设计可以避免这一问题。
将二者结合的穿透式结构组件优势在于双面显示信息，将是未来显示发展的一个细分方向。
将二者结合的穿透式结构组件优势在于双面显示信息，将是未来显示发展的一个细分方向。
底发射与顶发射式器件对比
穿透式结构OLED产品已在部分产品中使用
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