我国超净高纯试剂行业发展状况
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我国超净高纯试剂行业发展经历四十多年,现已成为全球重要的生产基地之一,其发展过程可以划分为三个阶段:
(1)初期发展阶段(20世纪70年代至2002年)
我国超净高纯试剂的研制起步于七十年代中期。1980年,北京化学试剂研究所在国内率先研制成功适合中小规模集成电路5μm技术用的22种MOS级(按照国内常用分级法,低于BV-Ⅰ级)试剂。上海化学试剂厂、天津试剂三厂等几家单位也开始生产MOS级试剂。随着集成电路集成度的不断提高,对超净高纯试剂中的可溶性杂质和固体颗粒的控制越来越严,同时对生产环境、包装方式及材
质等提出了更高的要求。为了满足我国集成电路发展的需要,我国自“六五”至“八五”及“十五”期间,将超净高纯试剂的研究开发列入了国家重点科技攻关计划,并由北京化学试剂研究所承担攻关任务,相继研制出BV-Ⅰ级、BV-Ⅱ级和BV-Ⅲ级超净高纯试剂,其中BV-Ⅲ级超净高纯试剂达到了国际SEMI-C7标准的水平,适用于0.8~1.2μm工艺技术(1~4M)的加工制作,并在“九五”末期形成了500吨/年的中试规模。
(2)向规模化的发展阶段(2003-2009年)
2003-2006年,我国超净高纯试剂行业生产企业分布、产品市场格局发生了很大变化。北京化学试剂研究所、天津试剂三厂等老牌企业、研究所逐渐淡出此行业。与此同时,江阴、苏州地区一批民营、合资及改制后的股份制企业纷纷崛起,逐渐形成了超净高纯试剂的产业集群。此地区的诸多企业逐渐走向了规模化生产。2006年,江阴地区超净高纯试剂年产量约在1.2万吨,占当时全国实际总产量的48%。由于华东地区超净高纯试剂生产厂家数量和产品产量上的快速发展,至2009年,该地区的超净高纯试剂产量占全国总产量的比例已经达到80%,地区内的部分企业走向了规模化生产的道路。(数据来源:《江苏省集成电路产业发展研究报告(2013年度)》,电子工业出版社,2014年8月版)
(3)大规模化生产高速发展阶段(2010年起至今)
世界金融危机过后,随着半导体市场需求迅速回升及平板显示器、太阳能电池片等新型市场蓬勃发展,我国超净高纯化学试剂企业进入的新的发展阶段。下游市场领域快速扩大,出现了平板显示器、太阳能电池片、磁记录体等新型市场。尤其是我国光伏行业的崛起,对超净高纯试剂有很大的市场需求。在此背景下,国内多家超净高纯试剂生产企业纷纷投资扩产,产品的生产、检测、包装、技术服务水平攀升到一个新台阶,装备及技术实力得到大幅度提升。
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