国内湿电子化学品行业技术水平及技术特点
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1、行业技术概况
湿电子化学品的关键技术主要包括混配工艺技术、分离纯化技术以及与湿电子化学品生产相配套的分析检验技术、环境处理与监测技术、包装储存技术等。其中关键技术为分离纯化、检测分析和混配工艺。
(1)分离纯化技术
分离纯化技术的关键是针对不同产品的不同特性采取何种提纯技术。目前国内外制备超净高纯试剂常用的提纯技术主要有高效连续精馏技术、气体低温精馏与吸收技术、离子交换技术、膜处理技术等。这些提纯技术各有特性,各有所长。
(2)检测分析技术
检测分析技术是超净高纯化学试剂质量控制的关键技术,根据不同的检测需要,可分为颗粒分析测试技术、金属杂质分析测试技术、非金属分析测试技术。其中,颗粒分析测试技术已经发展到了激光光散法。随着IC制作技术的不断发展,对超净高纯试剂中的颗粒要求越来越严,所需控制颗粒的粒径越来越小,从5µm到1µm、0.5µm、0.2µm及到目前的0.1µm,因此对颗粒的分析测试技术提出了更高的要求。颗粒测试技术从早期的显微镜法、库尔特发、光阻挡法发展到了目前的激光光散法。
金属杂质的分析检测技术也随着集成电路的集成度而不断提高。金属杂质含量从原先的ppm级,发展到了大规模集成电路所需的ppb级,极大规模集成电路的ppt级,甚至发展到了超大规模集成电路所需的ppq级。而原有的金属杂质分析测试技术也被淘汰,新的技术不断推出,目前,电感耦合等离子体—质谱法(ICP-MS)是主要的金属杂质分析测试技术。
非金属杂质分析测试技术主要是指阴离子的测试,最常用的是离子色谱法。离子色谱法是根据离子交换的原理,由于被测阴离子水合离子半径和所带电荷不同,在阴离子交换树脂上造成分配系数不同,使阴离子在分离柱上得到分离,然后经过抑制柱去除洗脱液的导电性,采用电导检测器测定Cl-、NO3-、SO42-、PO43-等离子。
(3)混配工艺
混配工艺是满足下游客户对湿电子化学品功能性要求的关键工艺技术。混配工艺的关键在于配方,配方的获取需要企业有丰富的行业经验,通过不断的调配、试验、试制及测试才能完成。有时,还需要对客户的技术工艺进行实地调研,才能实现满足客户需要的功能性产品的研发。
2、行业技术水平
(1)国际先进水平
目前国际上从事湿电子化学品的研究开发及大规模生产的企业主要有德国的巴斯夫公司、E.Merck,美国的Ashland公司、Arch公司及MallinckradtBaker公司,日本的关东化学公司、三菱化学、京都化工、住友化学、和光纯药工业(Wako)、stella-chemifa公司等,我国台湾地区主要有台湾东应化股份有限公司、伊默克化学科技股份有限公司、台湾联仕电子化学材料股份有限公司、长新化学、台硝投资股份及理盛精密科技等,韩国主要有东友(DONGWOOFINECHEM)、东进(DONGJINSEMICHEM)等公司。
随着集成电路的发展,当今世界集成电路水平已由微米级(1.0μm)、亚微米级(1.0~0.35μm)、深亚微米级(0.35μm以下)进入到纳米级(32~22nm,16~14nm,甚至是12~10nm)阶段,目前半导体集成电路的技术研发已进入7nm阶段。为了匹配集成电路的发展水平,世界各大超净高纯试剂领先企业也在技术工艺上实现了突破,国际上制备G1到G4级各种不同等级湿电子化学品的技术已经趋于走向成熟,目前已开始向更高技术等级的产品发展。
在服务方面,由于涉及规范尺吋已进入纳米时代,对与之配套使用的超净高纯试剂提出了更高的要求,颗粒和杂质含量要减少到1~3个数量级,并对储运也提出了更高要求。为了适应新的发展,各主要生产厂家积极推出了化学品经营服务(CMS),即生产者在IC生产现场,承担调查IC生产工艺与化学品的相关因素,协调解决有关工艺化学品在应用过程中的技术问题,使IC生产者和化学品供应者形成了紧密的合作伙伴,降低了双方的运营费用,缩短了研究开发周期,增强了质量保证,减少了危险品的贮存量。另外,湿电子化学品生产者也可按照SEMI标准和客户的具体要求提供更好的混配超净高纯试剂产品。
(2)国内行业整体技术水平
目前我国1μm工艺技术用的化学品已经实现规模化生产,并实现了国产化;0.35μm技术用化学品也实现了规模生产;0.18μm技术用化学品已经完成了研究工作。目前为止,国内技术领先湿电子化学品企业的部分产品已经达到了国际G3标准,并已开展G4标准的研发工作。
总体上看,我国目前的湿电子化学品技术水平要落后于国际先进水平,国内仅有少数部分技术领先的企业具有技术突破的经验和能力,随着国内电子产业的快速增长,本土化配套已成为重要趋势,国内湿电子化学品企业生产技术的不断提高,未来国内将会出现具有国际竞争力的湿电子化学品生产企业。
3、技术发展趋势
电子化学品与下游行业结合紧密,下游行业的快速发展,势必要求电子化学品更新换代速度不断加快,企业科技研发水平与日俱增,电子化学品素有“一代材料、一代产品”之说,湿电子化学品更是如此。所以,湿电子化学品技术水平需要与下游电子行业的发展趋势保持一致。
随着IC存储容量的逐渐增大,存储器电池的蓄电量需要尽可能大,氧化膜变得更薄,而超净高纯试剂中的碱金属杂质会溶进氧化膜,导致耐绝缘电压下降;若重金属杂质附着在晶硅片的表面上,会使p-n结耐电压降低。杂质分子或离子的附着又是造成腐蚀或漏电等化学故障的主要原因。因此,随着IC技术水平的发展,对湿电子化学品的质量要求也越来越高。同时,在大屏幕、高清晰平板显示的制造过程中,湿电子化学品所含的金属离子和个别尘埃颗粒,都会让面板产生极大的缺陷,平板显示的制造工艺对湿电子化学品的功能性要求较高,清洗的清洁度,蚀刻的方向、角度以及对不同金属的蚀刻速率差异均会影响平板显示的品质。
从技术趋势上看,满足纳米级集成电路制造和高世代平板显示生产的技术需求和功能性需求是超净高纯试剂今后发展方向之一。
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