半导体行业遇新技术拐点,切入可缩小差距
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纵观存储企业发展史,新技术在不断产生。直接采用新技术新标准,缩短跟国外的差距,或许是一些企业可以尝试的方向。
四大NandFlash厂2D/3D技术路线

以3DNAND技术为例,当前NAND已经量产到了20nm,工艺进程排到了1Z。国内企业几乎是空白,落后国外几十年。但是在向3D技术转移的时候,将会采用较为成熟的30nm工艺外加3D技术。这样差距就缩小到10年以内。中国企业如果直接引进3D技术,将在产业链找到机会。
新技术的颠覆:crossba推出的RRAM存储器

另一个新的方向是新材料技术,例如相变存储器、记忆电阻、铁电存储器、磁存储器等。以RRAM为例,RRAM产品并没有PCRAM丰富,但发展较快,被三星、闪迪等看好。RRAM技术最强的是2010年成立的Crossbar,其RRAM芯片已经可以量产,预计首个样品在2015年初出炉,2015年底投入市场。初期主要面向嵌入式市场,授权给ASIC、FPGA、SoC开发商,采用3层芯片堆叠,市场化时预计采用16层芯片堆叠,容量达128GB,已经可以量产。同时,crossba宣称该技术可以尺寸缩减到5nm。另一个采用新技术实现反超的例子是成立于2003年的invensense,公司的MEMS产品经过10年发展已经成功挤入苹果供应链,iPhone6采用了invensense的一颗六轴加速计与陀螺仪。
表2主要的新兴存储技术比较
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