半导体行业遇新技术拐点,切入可缩小差距
相关报告
- 2015-2020年中国半导体封装行业市场主要领域调查分析报告(2015-09-14)
- 2015-2020年中国半导体封装行业运行研究及市场投资发展分析报告(2015-06-15)
- 2016-2022年中国半导体器件行业市场深度调查研究及投资咨询报告(2015-12-10)
- 2015-2020年中国微处理器行业市场调查研究及投资发展分析报告(2015-06-11)
- 2015-2020年中国功率半导体器件行业市场主要领域调查分析报告(2015-09-16)
- 2015-2020年中国半导体分立器件行业市场重点层面调查研究报告(2015-09-14)
- 2015-2020年中国半导体分立器件行业市场发展研究及投资前景分析报告(2015-03-24)
- 2015-2019版半导体器件行业企业建设项目可行性研究报告(2014-11-13)
- 2015-2020年中国微处理器行业深度调研及市场投资发展研究报告(2015-07-31)
- 2015-2020年中国微处理器芯片行业市场主要领域调查分析报告(2015-09-15)
纵观存储企业发展史,新技术在不断产生。直接采用新技术新标准,缩短跟国外的差距,或许是一些企业可以尝试的方向。
四大NandFlash厂2D/3D技术路线

以3DNAND技术为例,当前NAND已经量产到了20nm,工艺进程排到了1Z。国内企业几乎是空白,落后国外几十年。但是在向3D技术转移的时候,将会采用较为成熟的30nm工艺外加3D技术。这样差距就缩小到10年以内。中国企业如果直接引进3D技术,将在产业链找到机会。
新技术的颠覆:crossba推出的RRAM存储器

另一个新的方向是新材料技术,例如相变存储器、记忆电阻、铁电存储器、磁存储器等。以RRAM为例,RRAM产品并没有PCRAM丰富,但发展较快,被三星、闪迪等看好。RRAM技术最强的是2010年成立的Crossbar,其RRAM芯片已经可以量产,预计首个样品在2015年初出炉,2015年底投入市场。初期主要面向嵌入式市场,授权给ASIC、FPGA、SoC开发商,采用3层芯片堆叠,市场化时预计采用16层芯片堆叠,容量达128GB,已经可以量产。同时,crossba宣称该技术可以尺寸缩减到5nm。另一个采用新技术实现反超的例子是成立于2003年的invensense,公司的MEMS产品经过10年发展已经成功挤入苹果供应链,iPhone6采用了invensense的一颗六轴加速计与陀螺仪。
表2主要的新兴存储技术比较
本文地址:http://www.zwzyzx.com/show-336-210999-1.html
上一篇:存储行业出现增长新引擎
下一篇:国家战略支持半导体行业发展
相关资讯
- 预计2017年需求量达到2.81亿个,产能能得到消化(2016-09-21)
- 车载移动互联网——5G无线通信推动车联网升级(2016-10-12)
- 导热技术及产品简介(2015-01-16)
- 产业应用领域扩张,有利于通信网络连接设备行业加速增长(2014-10-04)
- 笔记本电脑等消费电子产品所用柔性印刷线路板竞争格局(2015-12-29)
- 全球小批量板主要产品进口国的竞争格局(2015-08-06)
- 国内进入电子控制行业的主要壁垒(2015-04-28)
- 全球智能手机及总出货量、渗透率预测(2014-06-15)
合作媒体
最新报告
定制出版
热门报告
免责声明
中为咨询所引述的资料是用于行业市场研究以及讨论和交流,并注明出处,部分内容是由相关机构提供。若有异议请及时联系本公司,我们将立即依据相关法律对文章进行删除或作相应处理。查看详细》》