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NandFlash从平面转向3D,中国借此实现弯道超车

来源:中为咨询www.zwzyzx.com 【日期:2016-08-01 15:16:02】【打印】【关闭】
3DNandFlash是存储器产业发展大势所趋,2DNandFlash在16nm节点后已经接近材料的物理极限。3DNANDFlash每年成长达到100%,这是一个巨大的市场机会。

DNandFlash技术

 
值得一提的是,除了三星,另外的企业如美光、SK海力士等在3DNandFlash布局方面走的并不远。如果中国企业现在通过技术合作,快速切入该领域,在这个技术变革过程中很有可能在存储器领域实现弯道超车。
本文地址:http://www.zwzyzx.com/show-336-220496-1.html
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