国内相变存储器发展情况
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国内来说，主要是两家：华中科技大学和中科院上海微系统所（宋志棠教授带领的）。2010年华科制作的是1Mb,中科院上海微系统所做的是8Mb的。
国内相变存储器的研究情况
2009年武汉光电国家实验室研制成功相变存储器芯片，2010年我们研制成功1Mb的测试芯片，同时在相变速度方面，我们在全球是最快的，速度达到0.2ns。
华中科技大学武汉光电国家实验室在相变储存器领域的成果
华中科技大学武汉光电国家实验室研制出的相变存储卡
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