3DNAND芯片优势明显：适应小体积、大容量的市场需求
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2DNAND工艺逼近物理极限，单位面积存储容量难以继续提高，且可靠性降低，2DNAND向3DNAND转型是业界趋势。目前NANDFLASH的制造技术达到16~19纳米工艺，已接近极限，进一步压缩尺寸会带来极高的成本且导致存储位不再稳定可靠。
FLASH原厂纳米制程技术时程图
近年来，为了适应小体积、大容量等市场需求，NANDFLASH制造技术向3D技术发展。3DNANDFLASH通过增加立体硅层的办法，既提高单位面积存储密度，又改善存储单元性能。3DNANDFLASH不仅能够增加容量，也可以将成本控制在较低水平。3DNAND比20纳米级产品的容量密度高，读写速度快，耗电量节省，采用3DNANDFlash存储器的固态硬盘(SSD)其电路板面积也较小。根据中国闪存市场网估计，3D技术不仅使产品性能至少提升20%，而且功耗可以降低40%以上。根据三星在SSD峰会所述，TLCV-NAND闪存相比传统的平面闪存的密度提升了1倍。
3DNAND相对2DNAND优势明显
目前3DNAND的堆栈层数不过32-48层，厂商们还在研发64层甚至更高层数的堆栈技术。2016年开始3DNANDFLASH将逐步对NANDFLASH进行替代。
目前主流3DNAND芯片堆栈层数
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