3DNAND芯片优势明显：适应小体积、大容量的市场需求
相关报告
- 全国主要地区存储器芯片产业发展状况暨投资环境调查研究报告(2014-12-01)
- 2015-2019版电脑IC行业企业建设项目可行性研究报告(2014-11-14)
- 2016-2022年中国工业电脑行业市场深度调查研究及投资咨询报告(2015-12-09)
- 2014-2018年电脑行业深度调研分析及投资前景研究报告(2013-12-13)
- 2014-2018年平板电脑行业深度调研分析及投资前景研究报告(2013-12-13)
- 2016-2022年中国电脑刺绣机行业市场深度调查研究及投资咨询报告(2015-12-01)
- 2015-2020年中国电脑IC行业市场深度剖析及投资发展研究报告(2015-08-04)
- 2015-2020年中国电脑连接器行业深度调研及市场投资发展研究报告(2015-08-04)
- 2014-2018年中国车载电脑行业市场深度剖析及投资前景趋势研究报告(2013-12-25)
- 2015-2019年中国车载电脑业兼并重组及投资建议研究分析报告(2014-10-28)
2DNAND工艺逼近物理极限，单位面积存储容量难以继续提高，且可靠性降低，2DNAND向3DNAND转型是业界趋势。目前NANDFLASH的制造技术达到16~19纳米工艺，已接近极限，进一步压缩尺寸会带来极高的成本且导致存储位不再稳定可靠。
FLASH原厂纳米制程技术时程图
近年来，为了适应小体积、大容量等市场需求，NANDFLASH制造技术向3D技术发展。3DNANDFLASH通过增加立体硅层的办法，既提高单位面积存储密度，又改善存储单元性能。3DNANDFLASH不仅能够增加容量，也可以将成本控制在较低水平。3DNAND比20纳米级产品的容量密度高，读写速度快，耗电量节省，采用3DNANDFlash存储器的固态硬盘(SSD)其电路板面积也较小。根据中国闪存市场网估计，3D技术不仅使产品性能至少提升20%，而且功耗可以降低40%以上。根据三星在SSD峰会所述，TLCV-NAND闪存相比传统的平面闪存的密度提升了1倍。
3DNAND相对2DNAND优势明显
目前3DNAND的堆栈层数不过32-48层，厂商们还在研发64层甚至更高层数的堆栈技术。2016年开始3DNANDFLASH将逐步对NANDFLASH进行替代。
目前主流3DNAND芯片堆栈层数
本文地址：http://www.zwzyzx.com/show-336-233339-1.html
上一篇：2D到3D:从平房到楼房
相关资讯
- PCB全球市场总体呈现波浪式增长趋势(2015-06-02)
- 军改拉开大幕，空天/海洋/信息化建设加码(2016-07-15)
- 中国封装材料行业风险特征(2016-04-28)
- 国内电子政务应用软件行业技术水平及发展趋势(2015-05-08)
- 方正阿帕比数字出版基本情况(2014-05-27)
- 中国第三方在线支付支付平台的价值(2016-09-05)
- “医疗+人工智能”成为行业和场景未来智能化的趋势(2016-11-04)
- 高精度时间频率关乎国家安全(2015-12-21)
合作媒体
最新报告
定制出版
热门报告
免责声明
中为咨询所引述的资料是用于行业市场研究以及讨论和交流，并注明出处，部分内容是由相关机构提供。若有异议请及时联系本公司，我们将立即依据相关法律对文章进行删除或作相应处理。查看详细》》
