3DNAND将全面替代2DNAND
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2Dnand由于已到物理极限，主流工艺最多只能满足128GB的容量需求。未来伴随着智能机和SSD对更大容量的需求，具有更好性能且能满足256GB及更高容量的3DNANDFLASH将逐渐替代2DNANDFLASH。
但由于3DNANDFLASH技术要求高，量产难度大，成本比较大。32层堆叠NANDFlashDie容量达128Gb，与主流2D1y/1znm128Gb相比缺乏成本竞争力。未来若干年，在3DNANDFLASH未大规模量产之前，2Dnand和3Dnand处于共存状态——2D由于成本优势，满足容量128GB及更低容量的需求，3D由于性能和容量优势，满足256GB甚至更高容量的需求。
由于2D工艺最多只能满足128GB的容量需求，3D更好性能且能满足256GB及更高容量，未来伴随着智能机和SSD对更大容量的需求，3D终将全面替代2D。但最近的若干年内，两者将维持短暂的共存状态，这主要是因为在128GB及以下容量的市场中，2D成本优势明显。
3DNAND将全面替代2DNAND
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