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单晶硅片的p-n结特性与光电特性

来源:中为咨询http://www.zwzyzx.com/ 【日期:2017-02-07 20:17:19】【打印】【关闭】
在超纯单晶硅中掺入ⅢA族元素,如硼可提高其导电的程度,而形成p型硅半导体;如掺入微量的ⅤA族元素,如磷或砷也可提高导电程度,形成n型硅半导体。通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,组成p-n结,具有单向导电性,是电子技术中许多器件所利用的特性。单晶硅片的P-N结
单晶硅片光电特性

本文地址:http://www.zwzyzx.com/show-336-249362-1.html
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