国内闪存芯片行业的技术水平
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（1）工艺节点及封装水平
工艺节点与芯片成本密切相关。在NOR Flash 领域，目前55nm~58nm 工艺节点的产品已开始大规模商用，45nm 产品也已开始研发。在NAND Flash 领域，目前20/19nm 以上工艺节点是主流的商用制程，未来主流产品将向1Y nm 发展。工艺节点由20/19nm 转向1Y nm，能使单颗芯片的面积减少约三分之一，从而导致芯片价格大幅降低。在芯片封装工艺上，3D 封装和系统级封装（SiP）在特定领域已开始迅速发展。
（2）性能水平
闪存芯片性能可在一定程度上反映设计水平。数据传输速度方面，当前串行NOR Flash 芯片的数据传输速率约为560M bps、并行NOR Flash 芯片的数据传输速率约为800M bps，NAND Flash 产品的数据传输速率约为1.6G bps。可靠性及寿命方面，当前NOR Flash 产品的可擦写次数约为10 万次，数据存储时间约为10 年；MLC 型NAND Flash 产品的可擦写次数约为5000 次，SLC 型约为50,000次，数据存储时间约为10 年。功耗方面，15μA 为当前NOR Flash 产品的普遍水平，15-20μA 为当前NAND Flash 产品的普遍水平。
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