超净高纯试剂在集成电路行业具有蚀刻工艺
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光刻是集成电路微细加工过程中的最为关键的工艺。光刻分为涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、蚀刻、去胶等七个工艺步骤。超净高纯试剂主要用于蚀刻工艺。
在光刻中，经过曝光和显影后，光刻胶薄膜层中形成的微图形结构仅仅是集成电路的结构形貌。为获得器件的结构，需要通过蚀刻工艺将光刻胶下方的材料上重现光刻胶层上的图形，实现图形的转移。随着大规模集成电路技术的发展，图形加工的线宽越来越细，对转移图形的重现精度和尺寸的要求越来越高，因此起蚀刻作用的超净高纯试剂起到了关键作用。
蚀刻工艺主要分为液态的湿法蚀刻和气态的干法蚀刻两大类。湿法蚀刻是通过特定的溶液与需要蚀刻的薄膜材料发生化学反应，除去光刻胶未覆盖区域的薄膜。湿法蚀刻主要通过控制蚀刻液的化学组成，通过蚀刻液与需要蚀刻的薄膜材料发生化学反应，使得蚀刻液对特定薄膜材料的蚀刻速率远大于对其他材料的蚀刻速率，从而除去光刻胶未覆盖区域的薄膜，实现图形转移。依对象的不同，蚀刻工艺可分为绝缘膜的蚀刻、半导体膜蚀刻、导体膜蚀刻和有机材料蚀刻。不同蚀刻对象所需的蚀刻液不同，但主要以混酸蚀刻液为主。
针对不同的薄膜材料常用的湿法蚀刻技术如下表所示：
光刻胶的溶剂、涂胶前的硅表面处理、显影和去胶过程中也会使用超净高纯试剂。蚀刻液的配方及颗粒度直接决定蚀刻效果，影响高密度导线图像的精度和质量。
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