专注于半导体器件的公司:扬杰科技(300373)
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公司是A股稀缺的专注于半导体器件,且具高端产品和客户布局的优质企业,产品包括芯片、二极管、整流桥和电力电子模块等,积极布局碳化硅SiC和氮化镓GaN等第三代半导体(即宽带隙半导体,或宽禁带半导体)功率器件,覆盖应用领域包括汽车电子、LED照明、太阳能光伏、通讯电源等多个战略新兴领域。
公司与西电签订《成立“第三代半导体产业化工程技术中心”协议书》,开展第三代半导体材料与器件的产业化应用研究工作,西安电子科大拥有宽带隙半导体技术国家重点学科实验室,郝跃院士研究团队是国内首屈一指的领军队伍,近年来攻克多项国际国内第三代功率器件技术难题,为未来产品化做出多项实质性贡献。我们认为该协议在最根本层面,提升公司在SiC和GaN等第三代功率器件领域的核心竞争力和同业比较优势,为下一阶段的产品化和市场拓展打下了坚实基础,亦是半导体A股上市公司“产学研”一体化的经典实例。
SiC功率器件相对传统的硅器件具备更高的电流密度,相同功率等级下,体积小于IGBT等模块,更重要的是,SiC器件能够提高能源系统的效率和工作频率,与IGBT相比相比较,其开关损失可降低约85%,且开关频率高于IGBT约10倍,大幅节约系统外围器件的使用量,进而降低成本。
从行业发展趋势来看,SiC为首的宽禁带半导体功率器件,未来将是电力电子领域节能降耗的重要选择,主要讲应用于新能源汽车、轨道交通、智能电网和电压转换等领域核心领域,IHSIMSResearch预测,在未来10年,新兴的SiC和GaN功率半导体市场将以18%的速度稳步成长;YoleDeveloppement预测,未来SiC器件将保持38%的年成长率,发展活力相对更高,面对120亿美元电晶体市场,300亿美元电源管理元件市场,400亿美元类比晶片市场,未来发展和替代空间很大。
中为认为,预计未来将通过内生和外延并重的模式迎来新的快速发展机遇,在国家半导体扶持政策偏重先进产能和新兴应用领域的背景下,看好公司未来新兴器件布局,以及长期发展空间。
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