相变存储器的产业化发展机遇
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武汉新芯2006年成立,2008年量产,主要做NORFlash,良率在世界范围内很高。今年3月底启动了国家集成电路基地项目,依托武汉新芯建设,主要做3DNAND和DRAM,预计5年内投资240亿美元,计划2020年月产能达到30万片,2030年月产能达到100万片,规模是很大的,为一代的新型存储技术产业化打下基础。国内现在存储器技术是热点,三星在西安,英特尔在大连都要做3DNAND,海力士在无锡做NAND和DRAM,最近福建晋江也建厂做DRAM。这些生产线,最小产能每个月10万片以上,我国存储器的产业现状可以得到彻底改观。以前存储器进口占比95%,现在投入很大,国内和国外都在投,基本上都生产NAND和DRAM。这些生产线的建设为以后新型存储器的发展带来很大的机遇。
从专利上来讲,2002-2014年中2008-2009年专利是比较多的。全球整个专利布局方面,三星占40%多,美光占9%,IBM15%,国内14%。在国内中芯国际和上海微系统所在一起有200多个专利,华中科技大学有45个专利,复旦大学有29,半导体所有18个。从专利布局可以看出。三星从材料、结构、测试、工艺、电路方面占比分别为17.7%、28.5%、8.4%、14.8%、30.6%,可以看出每个公司在专利方面的布局重点压在什么地方。国内也是材料占比15.07%,结构占比39.72%、工艺占比15.07%、电路占比19.86%、测试占比7.54%,其它占比2.74%,这是整个专利布局申请的保护领域占整个相变存储器的比例。
按年份分布的专利数量情况

按所属企业分布的专利占比情况

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