半导体存储产业蓄力待发，积极打造IDM模式产业布局

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来源：中为咨询www.zwzyzx.com 【日期：2016-09-30 14:34:09】【打印】【关闭】

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半导体存储作为消费电子时代的重要组成部分，已经成为了电子行业的最重要最基本的器件之一。半导体存储可以划分为高速读写的RAM和主要读取用的ROM两大类别，由这两大类别细分出很多不同类型的存储，根据系统容量的差别和存储速度的高低而应用在各种消费电子与通信产品之上。

半导体存储的分类

目前DRAM市场三分天下，三星，海力士和美光占据了90%以上的市场份额。NAND闪存则由三星、东芝/sandisk、海力士和美光/intel占据强势。存储器行业垄断格局基本形成，三星在存储器业内的地位更是无可撼动，随着中国产业发展的需要，掀起的国内半导体投资热潮，武汉新芯工厂动工，将成为国内最大最先进的存储器生产基地。新建的12寸晶圆产投产之后将直接生产3DNAND闪存。

闪存是目前各类消费电子和通信产品比不可少的存储器类型，闪存芯片主要分为两种NANDFlash以及NORFlash，其中NORFlash市场逐渐萎缩，NANDFlash已经日趋主流，NANDFlash主要分为SLC、MLC和TLC三类，产品价格依次递减。短时间内MLC仍会是主流产品，SLC将继续在企业级、服务器市场领域存活。智能手机、平板电脑、固态硬盘仍将是带动闪存市场增长的主要动力，同时随着闪存技术的不断进步，价格会持续走低，单颗芯片容量会越来越大，使用的领域会逐渐拓展，智能电视、汽车电子以及仪器自动化等领域将成为闪存市场新的增长点。

尽管国内在存储器领域已经落后国外几十年，但是通过2DNAND向3DNAND转变的技术路线中，通过较为成熟的30nm工艺以及3D技术，将会大大缩小国内外的技术差距，在存储器发生巨大变革的今天，这对与中国的存储器产业而言是难得的历史性机遇。3DNAND技术使得摩尔定律得以在存储器领域延续，当平面NAND工艺的不断发展，为了弥补由此造成的NAND可靠性不断降低，厂家支付的成本已经和制程工艺达到了平衡点，很难继续制造出更有竞争力的产品。

但是3DNAND技术使得原本花费大量时间和精力去提高的工艺转化为仅需要堆叠层数，保证了闪存的容量、性能和可靠性。

3DNAND结构

3DNAND主流厂商及核心参数

随着大数据时代的来临，服务器、物联网、消费电子对存储需求的不断提高，中国目前在DRAM和NAND上的消耗占据全球总消耗量的30%~40%。目前我国也正在积极打造基于IDM模式的存储器厂商，完善存储产业的布局。中国存储器产业既要吸取当年台湾存储器产业的失败教训，同时也面临着一线大厂的杀价竞争，这在我国存储器产业尚未成气候的前提条件下是非常不利的，但是落后总是暂时的，如同我国大陆平板显示产业对韩日台的加速追赶一样，中国只要循序渐进的发挥出优势提升自身硬实力，相信在存储器领域对世界一流厂商的差距将会逐年缩小。

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