国内功率半导体分立器件行业主要法律法规和政策

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来源：中为咨询网www.zwzyzx.com 【日期：2015-05-25 17:23:53】【打印】【关闭】

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功率半导体分立器件也被称为电力电子器件，是电力电子技术的基础和核心。电力电子技术的突破和发展都是围绕新型功率半导体分立器件的诞生和完善进行的，其应用已深入到工业生产和社会生活的各个方面，对高效利用能源发挥至关重要的作用，因此，功率半导体分立器件已被国家产业政策放在高端的关注位置，中央政府、地方政府及各部委陆续出台各种支持政策，鼓励我国功率半导体分立器件生产企业自主创新，实现关键技术的重点突破。

2006年，工业和信息化部发布了《信息产业科技发展“十一五”规划和2020年中长期规划纲要》，将新型元器件技术列入未来5-15年发展的15个重点领域之一。新型元器件技术重点围绕功率半导体、片式电子元器件等技术，建立以新型元器件研发为核心的元器件研发中心和以元器件性能检测、质量与可靠性检测、分析为核心的元器件评测和服务中心，逐步形成新型元器件从研制、生产到检测、评价较为完整的技术体系。

2007年，国家发改委下发了《关于组织实施新型电力电子器件产业化专项有关问题的通知》（发改办高技[2007]2484号），该《通知》以提高新型电力电子器件技术和工艺水平，促进产业发展，满足市场需求，以技术进步和产业升级推进节能降耗为目的，突破核心基础器件发展的关键技术，完善功率半导体产业链，促进具有自主知识产权的芯片和技术的推广应用，增强企业自主创新能力，支持功率半导体芯片、模块、应用装置、专用工艺设备和测试仪器四大类产品的产业化发展。

2008年，根据《信息产业“十一五”规划》中“加快元器件产业结构升级和提高电子专用材料配套能力”的总体要求，信息产业部编制了《电子基础材料和关键元器件“十一五”专项规划》，大力发展新型半导体分立器件，紧紧抓住传统产业改造和电力系统改造的机遇，进一步加大科技投入，重点发展功率半导体分立器件，包括纵向双扩散型场效应管VDMOS，绝缘栅双极型晶体管IGBT，静电感应晶体管系列SIT、BSIT、SITH，栅控晶闸管MCT，巨型双极晶体管GTR等。

2009年国务院办公厅出台《电子信息产业调整和振兴规划》，要求加快电子元器件产品升级，提高片式元器件、新型电力电子器件等产品的研发生产能力，加快发展无污染、环保型基础元器件和关键材料，提高产品性能和可靠性，提高电子元器件和基础材料的回收利用水平。

2010年，为大力推进新型功率半导体分立器件产业发展，发展掌握自主知识产权的芯片和器件的设计、制造技术，以市场带动产业，尽快形成芯片和器件的规模化生产能力和产业配套能力，拓展电力电子技术在国民经济各领域的应用，国家发改委《关于组织实施2010年新型电力电子器件产业化专项的通知》（发改办高技[2010]614号），确立了功率半导体分立器件产业化专项重点，支持金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、集成门极换流晶闸管（IGCT）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）、超快恢复二极管（FRD）等量大面广的新型电力电子芯片和器件的产业化，重点解决芯片设计、制造和封装技术，包括结构设计、可靠性设计，以及光刻、刻蚀、表面钝化、背面研磨、背面金属化、测试等工艺技术，提高产品档次。

2011年全国人大通过了《国民经济和社会发展第十二个五年规划纲要》，提出依托于国家重点工程发展重大技术装备政策，提高基础工艺、基础材料、基础元器件研发和系统集成水平。在此基础上，国家发改委在《产业结构调整指导目录（2011年本）》中明确将“继电保护技术、电网运行安全监控信息技术开发与应用”、“输变电节能、环保技术推广应用”、“降低输、变、配电损耗技术开发与应用”列入鼓励类项目。随后，工业和信息化部印发了《产业关键共性技术发展指南（2011年）》，把能够在多个行业或领域广泛应用，并对整个产业或多个产业产生影响和瓶颈制约的技术定义为产业关键共性技术，由于关键共性技术的研究难度大、周期长，特别是在基础材料、关键工艺、核心元部件、系统集成等方面的关键共性技术，已经成为制约我国产业持续健康发展的核心问题；产业关键共性技术的研究开发是工业和通信业发展的基础，也是我国构建现代产业体系，加快转变发展方式，培育和发展战略性新兴产业，促进产业结构优化升级，增强自主创新能力和核心竞争力的关键环节。

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