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相变存储器发展趋势

来源:中为咨询www.zwzyzx.com 【日期:2016-08-24 16:12:59】【打印】【关闭】
过去存储容量提升都是通过ScalingDown,从90nm到45nm,甚至16nm,在ScalingDown的过程中成本都一直在提高。现在相变存储器提高存储容量的方式有两种,一种是三维堆叠,还有一种是多值技术。英特尔和美光重点突破的是三维堆叠技术,而IBM在多值存储领域取得了突破性进展。

相变存储器的发展趋势

 
2015年英特尔和美光推出了3D-Xpoint存储器,是基于相变材料,给相变存储器带来了新的机遇。这个是交叉点阵列的结构,另外存在空间堆叠,像汽车一样,二维停车库停的车很少,建多层停车场以后停的车就会多很多,以三维的方式来提高存储密度。存储密度是DRAM的8-10倍,读取速度是目前闪存的1000倍,耐用性是闪寸的一倍,所以受到广泛的关注。

3DXpoint存储器性能优异

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