相变存储器发展趋势

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来源：中为咨询www.zwzyzx.com 【日期：2016-08-24 16:12:59】【打印】【关闭】

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过去存储容量提升都是通过ScalingDown，从90nm到45nm，甚至16nm，在ScalingDown的过程中成本都一直在提高。现在相变存储器提高存储容量的方式有两种，一种是三维堆叠，还有一种是多值技术。英特尔和美光重点突破的是三维堆叠技术，而IBM在多值存储领域取得了突破性进展。

相变存储器的发展趋势

2015年英特尔和美光推出了3D-Xpoint存储器，是基于相变材料，给相变存储器带来了新的机遇。这个是交叉点阵列的结构，另外存在空间堆叠，像汽车一样，二维停车库停的车很少，建多层停车场以后停的车就会多很多，以三维的方式来提高存储密度。存储密度是DRAM的8-10倍，读取速度是目前闪存的1000倍，耐用性是闪寸的一倍，所以受到广泛的关注。

3DXpoint存储器性能优异