相变存储器的产业化发展机遇

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来源：中为咨询www.zwzyzx.com 【日期：2016-08-24 16:11:08】【打印】【关闭】

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武汉新芯2006年成立，2008年量产，主要做NORFlash，良率在世界范围内很高。今年3月底启动了国家集成电路基地项目，依托武汉新芯建设，主要做3DNAND和DRAM，预计5年内投资240亿美元，计划2020年月产能达到30万片，2030年月产能达到100万片，规模是很大的，为一代的新型存储技术产业化打下基础。国内现在存储器技术是热点，三星在西安，英特尔在大连都要做3DNAND，海力士在无锡做NAND和DRAM，最近福建晋江也建厂做DRAM。这些生产线，最小产能每个月10万片以上，我国存储器的产业现状可以得到彻底改观。以前存储器进口占比95%，现在投入很大，国内和国外都在投，基本上都生产NAND和DRAM。这些生产线的建设为以后新型存储器的发展带来很大的机遇。

从专利上来讲，2002-2014年中2008-2009年专利是比较多的。全球整个专利布局方面，三星占40%多，美光占9%，IBM15%，国内14%。在国内中芯国际和上海微系统所在一起有200多个专利，华中科技大学有45个专利，复旦大学有29，半导体所有18个。从专利布局可以看出。三星从材料、结构、测试、工艺、电路方面占比分别为17.7%、28.5%、8.4%、14.8%、30.6%，可以看出每个公司在专利方面的布局重点压在什么地方。国内也是材料占比15.07%，结构占比39.72%、工艺占比15.07%、电路占比19.86%、测试占比7.54%，其它占比2.74%，这是整个专利布局申请的保护领域占整个相变存储器的比例。

按年份分布的专利数量情况