半导体光刻胶专用化学品的技术发展水平、特点及趋势
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消费电子、家用电器、信息通讯等民用消费品是半导体行业的主要终端产品。以上各类电子终端产品不断更新换代,朝着更高性能、更多功能、更小尺寸、高度集成化发展,对半导体芯片提出了更高的要求,其中缩小芯片尺寸、提高芯片集成度、降低芯片加工成本是最主要的要求。而处于整个半导体产业链上游位置的半导体光刻胶技术是决定整个半导体产业能否满足以上要求的关键技术之一。
A.适用于更短波长的光引发剂是技术发展的趋势。光刻胶分辨率是决定半导体芯片尺寸和集成度的关键因子之一。目前,已产品化的分辨率最高的光刻胶是ArF光刻胶,由于采用波长193纳米的激光作为曝光光源,它可以单独用来加工线宽为90纳米的微细线路。虽然已有提案提出使用更短的曝光波长,诸如EUV(极紫外线),来实现更高分辨率的微细加工技术,并且光刻胶制造商正在开发对应的光刻胶材料技术,但新的微细加工技术的导入由于牵涉到巨额的设备投资,半导体芯片制造商在导入EUV加工技术上目前并不积极,而是千方百计的利用现有的加工设备和光刻胶材料技术来实现更高分辨率的微细加工技术。现已成功地利用ArF光刻胶和“液浸技术”突破ArF光刻胶的极限分辨率,使得可加工的微细线路尺寸缩小为22纳米。行业上也常称上述技术为ArF光刻胶的“延命技术”,因此,ArF光刻胶在未来的一段时间内还将是高分辨率微细加工技术的主流材料。
B.光刻胶专用化学品将继续保持高技术门槛。半导体光刻胶是所有光刻胶种类中对其所使用的各种组分,包括半导体光刻胶光引发剂的规格要求最为严格的一种。半导体光刻胶专用化学品必须同时具备高性能、高可靠性、高纯度的特点,下游客户在选定原料供应商时,往往更加注重高可靠性和高纯度特点。要想进入半导体光刻胶专用化学品市场,必须首先解决一系列诸如原料和产品提纯、生产工艺控制、金属杂质去除、异物混入防止、痕量分析检验方法、包装物流等诸多难题,对企业的研发能力、生产过程控制能力、品质监控和保证能力等都有非常高的要求。因此,下游客户通常倾向于和已有的安全供应商继续合作,而不会轻易改动,新的供应商难以在短期内进入市场。新供应商进入市场必须先经过用户严格的合格供应商认证,通常需要经历小试、样品认证、中试、工厂现场审核、批量生产等阶段,认证周期长,加上客户还会对相关售后服务和产品持续完善能力加以考察,从而使新企业进入行业难度增大。严格的客户评估、认证制度及持续技术支持与服务也使得半导体光刻胶专用化学品的生产厂商和下游客户之间形成紧密的合作关系,一旦成功进入其供应体系,就很难被替代。
C.行业内降低成本的趋势比较明显。目前,能够生产高分辨率半导体光刻胶(KrF和ArF光刻胶)的公司基本是日、美企业。随着终端电子产品价格的最终下降趋势不可避免,整个半导体产业链都有降低成本的压力。日本的半导体光刻胶生产厂商已经开始在除日本以外的国家寻找合格的半导体光刻胶光引发剂的供应商伙伴,特别是2011年3月11日日本大地震更是加快了以上进程。由于公司和日本生产光刻胶产品的主要公司都有良好的合作和信赖关系,公司从2011年下半年开始已陆续接到数家日本半导体光刻胶生产公司的要求,希望提供光引发剂样品。
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