国家引导，资本协助，紫光国芯和武汉新芯加快存储器建设
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在国家的引导下，资本对存储器领域投资较大。紫光国芯和武汉新芯作为存储芯片领域重要企业，其中武汉新芯专注于存储器领域，尤其注重3DNANDFLASH技术的追赶。
2015年11月，紫光国芯发布800亿定增预案，定增资金主要用于存储器建设。预计可新增120,000片/月的存储芯片生产产能。2016年5月，紫光集团董事长赵伟国在中国大数据产业峰会暨中国电子商务创新发展峰会表示，从今年开始，紫光集团要投资300亿美元，主攻记忆体晶片制造，这将会是中国大陆最大的储存项目。
2016年国家集成电路产业投资基金股份有限公司、湖北省集成电路产业投资基金股份有限公司、国开发展基金有限公司、湖北省科技投资集团有限公司共同出资240亿美元，在武汉新芯集成电路制造有限公司的基础上组建一家存储器公司，整个存储器基地的规划和建设则由武汉新芯主导。240亿美元的资金将在5年内投资完成，前期主要生产3DNAND产品，预计到2020年形成月产能30万片
的生产规模（包括20万片3DNAND以及10万片DRAM），到2030年形成每月100万片的产能。
紫光国芯存储类芯片工厂示意图
武汉“光谷”国家存储器规划蓝图
武汉“光谷”国家存储器规划蓝图
紫光国芯800亿定增资金使用计划
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