风暴继续，各大储存器厂商的扩张基因继续隐现

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来源：中为咨询www.zwzyzx.com 【日期：2016-07-04 15:34:57】【打印】【关闭】

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最近两年，DRAM从08年金融危机的阵痛中复苏后，形成三寡头垄断局面，各大厂商在产能扩张和出货量上均有克制，从而使得DRAM行业最近两年持续盈利，并且这一利好将在2015年继续得以维持，使得短期市场较为乐观。

然而，通过研究存储器行业及各大相关公司的发展历史，也可以发现存储器行业的长期波动性并没有改变，究其原因，在于各大存储器厂商均有扩张产能基因。

以三星为例，历史上大肆扩张产能、增加出货量、疯狂压低价格的先例不胜枚举，在业界也是臭名昭著。甚至在2006年，三星电子三名高官因涉嫌操纵内存价格而被美国司法部判罚监禁7个月。这一举动在产业不景气的时候尤为突出，后果轻则打击对手，重则直接让竞争对手破产。例如2010年初，DRAM价格在一轮惨跌后开始企稳回升，三星则迅速扩充产能，引起业界一片哀嚎。这一惯用手段贯穿三星电子过往发展史，甚至是三星“成功法宝”之一。

我们可以看看各大巨头最新的扩张动作：

三星的最新扩张：三星DRAM产品有4个厂，均为12寸产线，均建置于韩国华城园区，月产39.5万片。三星制程上早已采用20nm量产，和海力士、美光的制程技术差距拉大到两年。三星扩建的新厂Line17厂将有月产能5万片全数转作生产DRAM，预计目前已开始逐步投产。2014年10月6日，三星又宣布在南韩京畿道平泽的新厂扩建计划，预计于2015年初拓土动工，最快可能在2017上半年正式投产，很有可能着重于DRAM或NandFlash产品。

在三星的拉动下，其他厂家也在积极扩张产能，新产能将在2016年开始见效。

SK海力士的最新扩张：海力士目前在韩国有1条8英寸晶圆生产线和2条12英寸生产线，在美国俄勒冈州有一条8英寸生产线，在中国无锡有一条12英寸生产线，在台湾也有产线，并和台湾茂德有长期合作，同时在欧洲有研发中心。SK海力士扩建的新厂M14预计2015年Q4开始投片，2016年量产。

美光的最新扩张：美光半导体制造厂分布在美国，中国，日本，马来西亚，波多黎各，新加坡以及台湾。2014年DRAM产品主要使用30nm产线。2015年，Micron有两个20nm工厂将投产。Micron设在日本广岛的20nm工厂进展迅速，同时在美国爱达荷州Boise市正在进行十几纳米和几纳米节点的研发。

全球DRAM产业由三星电子、SK海力士、美光三强鼎立

鉴于以上分析，我们认为存储器产业最大的特性就是景气周期波动性大。目前短期来看三足鼎立会持续一段时间，但后续依然存在一步垄断的隐忧。至少从三星的角度出发，形成类似CPU一样由Intel一家独大的局面是不错的选择。后续我们会分别从DRAM、NandFlash、NorFlash等方面分别详细分析产业现状、特点以及发展趋势等。

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