48层：2D技术向3D技术最佳的成本效益切换点

您当前位置：首页 > 行业分析 > IT通讯 > 　正文

来源：中为咨询www.zwzyzx.com 【日期：2016-09-21 14:30:22】【打印】【关闭】

相关报告

2015-2019版笔记本电脑行业企业建设项目可行性研究报告(2014-11-12)
2014-2018年中国电脑连接器行业市场全面深度调查研究及投资研究报告(2014-04-12)
2015-2020年中国车载电脑行业运行研究及市场投资发展分析报告(2015-05-27)
2015-2019版电脑接口线行业企业建设项目可行性研究报告(2014-11-12)
2015-2020年中国平板电脑行业市场重点层面调查研究报告(2015-09-18)
2016-2022年中国电脑IC区域行业市场调查研究及发展分析报告(2015-11-13)
2016-2022年中国平板电脑区域行业市场调查研究及发展分析报告(2015-11-17)
2015-2019年车载电脑项目商业计划书(2014-10-27)
2016-2022年中国存储器芯片区域行业市场调查研究及发展分析报告(2015-11-13)
2015-2019年中国存储器芯片业兼并重组及投资建议研究分析报告(2014-11-14)

3D技术若采用32层堆叠NANDFlashDie容量达128Gb，与主流2D1y/1znm128Gb相比缺乏成本竞争力。随着3D技术的发展，采用48层堆叠则可将NANDFlashDie容量提升至256Gb，突破2DNAND128Gb容量，且较32层3DNAND更有成本和性能优势，这也是Flash原厂在2016年扩大48层量产或加快导入步伐的主要原因，使得2D技术向3D技术切换点恰好拥有最佳的成本效益。目前后进入3D领域的企业均积极在48层3D领域追赶三星。

东芝48层3DNAND今年才刚进入规模量产阶段，美光、海力士预计要等到2016下半年才能够投入生产。英特尔将位于大连的逻辑芯片12寸厂改造为3DNANDFlash工厂，砸55亿美元升级产能，致力发展相关技术，计划今年下半年生产3DNAND和Xpoint。国内的武汉新芯专注于NAND生产，与美企Spanion签订3DNAND授权协议，目前成为240亿美元国家存储器基地投资计划的受益者，预计2017年底就能取得48层3DNAND的验证，2018年进行量产。紫光国芯2015年11月发布800亿定增公告，其中存储器芯片制造项目采用定增资金600亿（总投资932亿）。

3DNANDFLASH厂商情况