48层：2D技术向3D技术最佳的成本效益切换点
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3D技术若采用32层堆叠NANDFlashDie容量达128Gb，与主流2D1y/1znm128Gb相比缺乏成本竞争力。随着3D技术的发展，采用48层堆叠则可将NANDFlashDie容量提升至256Gb，突破2DNAND128Gb容量，且较32层3DNAND更有成本和性能优势，这也是Flash原厂在2016年扩大48层量产或加快导入步伐的主要原因，使得2D技术向3D技术切换点恰好拥有最佳的成本效益。目前后进入3D领域的企业均积极在48层3D领域追赶三星。
东芝48层3DNAND今年才刚进入规模量产阶段，美光、海力士预计要等到2016下半年才能够投入生产。英特尔将位于大连的逻辑芯片12寸厂改造为3DNANDFlash工厂，砸55亿美元升级产能，致力发展相关技术，计划今年下半年生产3DNAND和Xpoint。国内的武汉新芯专注于NAND生产，与美企Spanion签订3DNAND授权协议，目前成为240亿美元国家存储器基地投资计划的受益者，预计2017年底就能取得48层3DNAND的验证，2018年进行量产。紫光国芯2015年11月发布800亿定增公告，其中存储器芯片制造项目采用定增资金600亿（总投资932亿）。
3DNANDFLASH厂商情况
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