48层：2D技术向3D技术最佳的成本效益切换点
相关报告
- 2015-2020年中国车载电脑行业市场深度剖析及投资发展研究报告(2015-07-15)
- 2016-2022年中国笔记本电脑区域行业市场调查研究及发展分析报告(2015-11-13)
- 2015-2020年中国电脑包行业深度调研及市场投资发展研究报告(2015-08-05)
- 2015-2019版电脑接口线行业企业建设项目可行性研究报告(2014-11-12)
- 2014-2018年中国平板电脑行业市场全面深度调查研究及投资研究报告(2013-12-28)
- 2015-2019年中国电脑连接器业兼并重组及投资建议研究分析报告(2014-11-14)
- 2015-2020年中国电脑IC行业运行研究及市场投资发展分析报告(2015-06-15)
- 2015-2020年中国电脑行业市场调查研究及投资发展分析报告(2015-06-10)
- 2015-2020年中国电脑刺绣机行业市场深度剖析及投资前景趋势研究报告(2015-03-14)
- 2015-2020年中国工业电脑行业市场深度剖析及投资发展研究报告(2015-07-30)
3D技术若采用32层堆叠NANDFlashDie容量达128Gb，与主流2D1y/1znm128Gb相比缺乏成本竞争力。随着3D技术的发展，采用48层堆叠则可将NANDFlashDie容量提升至256Gb，突破2DNAND128Gb容量，且较32层3DNAND更有成本和性能优势，这也是Flash原厂在2016年扩大48层量产或加快导入步伐的主要原因，使得2D技术向3D技术切换点恰好拥有最佳的成本效益。目前后进入3D领域的企业均积极在48层3D领域追赶三星。
东芝48层3DNAND今年才刚进入规模量产阶段，美光、海力士预计要等到2016下半年才能够投入生产。英特尔将位于大连的逻辑芯片12寸厂改造为3DNANDFlash工厂，砸55亿美元升级产能，致力发展相关技术，计划今年下半年生产3DNAND和Xpoint。国内的武汉新芯专注于NAND生产，与美企Spanion签订3DNAND授权协议，目前成为240亿美元国家存储器基地投资计划的受益者，预计2017年底就能取得48层3DNAND的验证，2018年进行量产。紫光国芯2015年11月发布800亿定增公告，其中存储器芯片制造项目采用定增资金600亿（总投资932亿）。
3DNANDFLASH厂商情况
本文地址：http://www.zwzyzx.com/show-336-233349-1.html
相关资讯
- 公安信息化应用系统开发的技术特点、技术水平和技术方向(2015-03-01)
- 智慧交通市场概况(2016-08-04)
- 未来电子测量仪器的市场空间较大(2014-08-21)
- 区块链技术特征：安全、可信的分布式总账(2016-06-29)
- 移动芯片技术相关情况介绍(2015-04-16)
- 电竞，广告主们的新宠(2016-04-19)
- 国内移动电话已经超越固定电话用户量(2015-04-04)
- 我国触摸屏行业区域分布特征(2014-06-15)
合作媒体
最新报告
定制出版
热门报告
免责声明
中为咨询所引述的资料是用于行业市场研究以及讨论和交流，并注明出处，部分内容是由相关机构提供。若有异议请及时联系本公司，我们将立即依据相关法律对文章进行删除或作相应处理。查看详细》》
