各厂商与三星技术差距仅1~3年，三星霸主地位受挑战

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来源：中为咨询www.zwzyzx.com 【日期：2016-09-21 14:32:09】【打印】【关闭】

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三星3DNAND技术领先对手1~3年，各方增产之下，差距大幅缩小，明年3DNAND扩产大战将更加白热化，三星可能不会增建产线，以提高生产力为主，应对战局。

其中与三星技术差距最小的是东芝公司。据EETimes的报导，三星与东芝（Toshiba）之间尚有1年的技术差距，由于东芝3DNANDFlash目前仍处于样品水准，而三星已进入量产阶段。样品与量产之间的技术差距大约为1年。

东芝存储器事业的副社长成毛康雄表示，将冲刺NANDFlash产量，目标在2018年度将NANDFlash产量扩增至2015年度的3倍水平(以容量换算)。成毛康雄还指出，将强化3DNANDFlash的生产，目标在2017年度将3D产品占整体生产比重提高至5成，2018年度进一步提高至9成左右水平。东芝打算与WesternDigital在未来三年携手，对3DNANDFlash投资1.5兆日元，相当于146亿美元。

东芝3DNANDFLASH产品占东芝公司NANDFLASH产品比重

国内的武汉新芯在中科院微电子所等合作帮助下己经做成9层3DNAND的样品，非常有信心在2018年实现48层的量产，这样与三星之间也就差距在3年左右。2015年5月，武汉新芯的3DNAND项目有了重要进展：第一片测试芯片通过存储器电学验证。此后，武汉新芯在更高叠层的产品工艺研发上取得了沟道电流大幅提升、存储单元性能和可靠性持续优化等更多突破性进步。

据OFweek报导，240亿美金（约1600亿元人民币）的“光谷”存储器基地2018年将实现3DNAND存储器的首次量产，2020年形成月产能30万片的生产规模，其中20万片3DNANDFlash和10万片DRAM，2030年预计达到每月产能100万片。

“光谷”存储器基地NANDFLASH预计产能