NandFlash从平面转向3D，中国借此实现弯道超车
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3DNandFlash是存储器产业发展大势所趋，2DNandFlash在16nm节点后已经接近材料的物理极限。3DNANDFlash每年成长达到100%，这是一个巨大的市场机会。
DNandFlash技术
值得一提的是，除了三星，另外的企业如美光、SK海力士等在3DNandFlash布局方面走的并不远。如果中国企业现在通过技术合作，快速切入该领域，在这个技术变革过程中很有可能在存储器领域实现弯道超车。
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