半导体分立器件制造行业的技术水平

您当前位置：首页 > 中为资讯 > IT通讯 > 　正文

来源：中为咨询网www.zwzyzx.com 【日期：2015-05-25 17:49:03】【打印】【关闭】

相关报告

半导体分立器件的技术包含了电气工程中的多种领域，不同领域知识的结合促进行业交叉边缘新技术的不断发展，并带来广阔的发展前景。电力电子技术是弱电控制与强电运行之间，信息技术与先进制造技术之间，传统产业实现自动化、智能化、节能化、机电一体化之间的桥梁，是国民经济的重要基础技术。

随着终端产品的整体技术水平要求越来越高，功率半导体分立器件技术也在市场的推动下不断向前发展，CAD设计、离子注入、溅射、多层金属化、亚微米光刻等先进工艺技术已应用到分立器件生产中，行业内产品的技术含量日益提高、制造难度也相应增大。目前日本和美国等发达国家的功率器件领域，很多VDMOS、IGBT产品已采用VLSI的微细加工工艺进行制作，生产线已大量采用8英寸、0.18微米工艺技术，大大提高了功率半导体分立器件的性能。

产品性能提高的同时，半导体分立器件的产品链也在不断延伸和拓宽。现代功率半导体分立器件向大功率、易驱动和高频化方向发展。晶闸管、MOSFET和IGBT在其各自领域实现技术和性能的不断突破，每类产品系列的规格、型号和种类愈加丰富。同时，新型产品如结合晶体管和晶闸管优点的集成门极换流晶闸管IGCT及碳化硅、氮化镓等宽禁带功率半导体分立器件陆续被研发面世，并开始产业化应用，应用领域也渗透到能源技术、激光技术等前沿领域。

我国半导体分立器件行业的整体技术水平落后于日本、韩国、美国和欧洲，国内产品种类单一，以硅基二极管、三极管和晶闸管为主，MOSFET产品、IGBT产品近年才有所发展。由于高性能功率半导体分立器件技术含量高和制造难度大，目前国内的生产技术与国外先进水平存在较大差距，产品性能也需要市场经过大批量、长时间检验后才能确认。

根据中为咨询分析报告资料，与我国功率半导体分立器件行业整体技术水平落后相比，细分领域晶闸管系列产品的技术在我国得到长足的发展，行业内的优秀企业通过长期技术积累、生产工艺的改进和自主创新，形成具有自主知识产权的技术体系，生产工艺的先进性确保产品的可靠性、一致性达到国际水平，满足我国市场对高端晶闸管替代进口的需求。

本文地址：http://www.zwzyzx.com/show-269-144478-1.html

分享到：

上一篇：晶闸管是功率半导体分立器件中技术成熟的产品

下一篇：国内功率半导体分立器件行业的技术特点

相关资讯